Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTH100N65G2-7AG
SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTH100N65G2
SCTH100N65G2-7AG Hakkında
SCTH100N65G2-7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi ve 95A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan güç elektronik bileşenidir. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. H2PAK-7 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 162nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3315 pF @ 520 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok