Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT50N120
SCT50N120 Hakkında
SCT50N120, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFET transistördür. 65A sürekli dren akımı ve 69mΩ maksimum açık durum direnci (Rds On) ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim endüstriyel uygulamaları, elektrik araç şarj sistemleri, güç kaynakları ve sıcak dönem uygulamalarında yer alır. -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığına ve 318W güç dissipasyonuna sahiptir. SiCFET teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 318W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok