Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3160KW7TL
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3160KW7TL
SCT3160KW7TL Hakkında
SCT3160KW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 1200V drain-source gerilim desteği ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 17A sürekli dren akımı kapasitesi ve 208mΩ (@ 5A, 18V) açık-durumu direnç değeri ile verimli güç kontrolü sağlar. Gate charge (42nC @ 18V) ve düşük input capacitance (398pF @ 800V) hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. TO-263 paketlemesi yüzey montaj uygulamalarına uygundur. 175°C maksimum junction sıcaklığında ve 100W güç dağılımı kapasitesinde çalışır. Endüstriyel invertörler, motor sürücüler, kaynak cihazları ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 398 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok