Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3160KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3160KLHRC11
SCT3160KLHRC11 Hakkında
SCT3160KLHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-kanal MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 208mΩ on-direnç ve 42nC gate charge özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, konvertörler ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında 103W güç saçabilme kapasitesi mevcuttur. Part Status: Not For New Designs olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 398 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 103W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok