Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3120AW7TL
SCT3120AW7TL Hakkında
SCT3120AW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde bir N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 156mOhm (@ 6.7A, 18V) on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 100W güç tüketebilir. 38nC gate charge ve 460pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. Güç dönüştürücüler, inverterler, solar sistemler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok