Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3120
SCT3120ALHRC11 Hakkında
SCT3120ALHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 156mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, 175°C maksimum çalışma sıcaklığına dayanır. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. 38nC gate charge ve 460pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 103W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.33mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok