Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3105KW7TL
SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3105KW7TL
SCT3105KW7TL Hakkında
SCT3105KW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 23A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 137mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 51nC gate charge ve 574pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. 175°C'ye kadar çalışabilen bu FET, enerji dönüştürme, elektrik araç şarj sistemleri, endüstriyel güç kaynakları, renewable enerji uygulamaları ve solar inverterler gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 574 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137mOhm @ 7.6A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok