Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3105KRC14
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3105KRC14
SCT3105KRC14 Hakkında
SCT3105KRC14, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajında 24A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-247-4L paketinde sunulmaktadır. 137mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 18V gate drive voltajında 51nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen cihaz, 134W güç disipasyonuna kadir. Yüksek voltaj uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, inverter devrelerde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 574 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 134W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137mOhm @ 7.6A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok