Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3105KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3105KLHRC11
SCT3105KLHRC11 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen SCT3105KLHRC11, Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde üretilmiş bir N-Channel power MOSFET'tir. 1200V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir transistördür. 137mOhm maksimum on-state direnci ile düşük kayıplar sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, inverter, motor sürücü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 175°C maksimum junction sıcaklığına ve 134W güç dağılım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 574 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 134W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137mOhm @ 7.6A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.81mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok