Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT30N120H
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT30N120H
SCT30N120H Hakkında
SCT30N120H, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) MOSFET teknolojisine dayalı bir N-kanal FET transistördür. 1200V kesme gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 100mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 200°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel inverter, güç kaynağı, motor sürücü ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount H2Pak-2 paketinde sunulan SCT30N120H, düşük anahtarlama kaybı ve hızlı komutasyon özelliği ile SiC teknolojisinin avantajlarını sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok