Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT30N120D2
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT30N120D2
SCT30N120D2 Hakkında
SCT30N120D2, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V yüksek voltaj kapasitesi ve 40A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaybıl iletim sağlar. -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan cihaz, güç elektroniği uygulamalarında, invertörler, konvertörler, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük gate charge gereksinimi ile enerji verimliliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok