Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT30N120
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT30N120
SCT30N120 Hakkında
SCT30N120, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 40A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında kullanılır. 100mΩ maksimum kapalı durum direnci (RDS(ON)) ile enerji kaybı minimize edilir. TO-247-3 kılıfında sunulan SCT30N120, anahtarlama uygulamaları, inverter devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 270W maksimum güç tüketimi özellikleriyle çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA (Typ) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok