Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080KW7TL
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080KW7TL
SCT3080KW7TL Hakkında
SCT3080KW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 104mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-7 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüleri, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 159W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok