Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080KLHRC11
SCT3080KLHRC11 Hakkında
SCT3080KLHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 31A sürekli drenaj akımı ve 104mOhm (18V/10A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Fotovoltaik inverterleri, endüstriyel UPS sistemleri, elektrikli araç şarj cihazları ve yüksek frekans anahtarlamaya dayalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 175°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığı ve 165W güç dağıtması ile zorlu çalışma koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok