Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080KLGC11
SCT3080KLGC11 Hakkında
SCT3080KLGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 1200V drain-source gerilim kapasitesi ve 31A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 104mOhm maksimum kanal direnci (RDS On) ile verimli anahtarlama sağlar. İletim sıcaklığı 175°C'ye kadar çıkabilen bu transistör, güç elektroniği devreleri, inverterler, şarj cihazları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 60nC gate charge ve 785pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok