Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080AW7TL
SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080AW
SCT3080AW7TL Hakkında
SCT3080AW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide FET) teknolojisine dayalı N-kanal güç transistörüdür. 650V drenaj-kaynak gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 paketinde sunulan bu bileşen, 104mOhm iç direnç (10A, 18V'de) ile hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar. Endüstriyel şarj cihazları, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. Maksimum 125W güç saçabilir ve -40°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 571 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok