Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080ARC14
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080ARC14
SCT3080ARC14 Hakkında
SCT3080ARC14, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini yerine getirir. 104mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Üretici sıcaklık aralığı 175°C'ye kadar çıkabilmekte olup, 134W maksimum güç yayılımını tolere edebilmektedir. SiCFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kapasitans ve yüksek verim özelliklerine sahiptir. Endüstriyel invertörler, elektrik aracı şarjlama sistemleri, elektrik çevirgeçleri ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 571 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 134W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok