Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3080ALHRC11
SCT3080ALHRC11 Hakkında
SCT3080ALHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) transistördür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlemlerinde kullanılır. TO-247N pakette sunulan transistör, endüstriyel güç kaynakları, fotovoltaik inverterleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 104mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize ederken, 48nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 571 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 134W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok