Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3060AW7TL
SCT3060AW7TL Hakkında
SCT3060AW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide FET teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 38A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 78mΩ maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 5.6V gate-source eşik voltajı ve 58nC gate yükü, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Enerji dönüştürme, şarj cihazları, endüstriyel sürücüler ve elektrikli araç uygulamalarında tercih edilir. -4V ile +22V arasında gate gerilimi aralığında çalışabilir ve 175°C'ye kadar çalışmaya dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 852 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 159W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok