Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3060ALHRC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3060ALHRC11
SCT3060ALHRC11 Hakkında
SCT3060ALHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) transistördür. 650V drain-source voltajına ve 39A sürekli drain akımına sahip bu FET, düşük RDS(on) değeri (78mΩ @ 13A, 18V) ile yüksek verimlilik sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 165W'lık maksimum güç tüketimi kapasitesiyle, endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, şarj cihazları, inverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 18V maksimum gate voltajı ve 5.6V eşik voltajı, kontrollü anahtarlama işlemleri için uygun bir tasarım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 852 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok