Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3060ALGC11
SCT3060ALGC11 Hakkında
SCT3060ALGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 39A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 78mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin 165W güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır. Güç elektoniği devreleri, invertörler, solenoid sürücüleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve geniş voltaj aralığında (Vgs: +22V/-4V) kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 852 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok