Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3040KW7TL
SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3040KW7TL
SCT3040KW7TL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen SCT3040KW7TL, 1200V dayanıklılığa sahip N-channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistörüdür. 56A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 52mOhm düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-263-7 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olan bu transistör, endüstriyel invertörler, solar enerji sistemleri, elektrikli araç sürücüleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 175°C maksimum işletme sıcaklığı ve 267W güç dağıtım kapasitesi ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1337 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 267W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok