Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3040KRC14
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3040KRC14
SCT3040KRC14 Hakkında
SCT3040KRC14, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltaj kapasitesi ve 55A sürekli akım (Tc) derecelendirmesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 52mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 262W güç tüketimine dayanır. Endüstriyel şöför devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol sistemleri ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 18V gate sürüm voltajı ile uyumlu, 107nC gate charge ve 1337pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemlerine olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1337 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 262W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok