Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3040KLGC11
SCT3040KLGC11 Hakkında
SCT3040KLGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 55A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, endüstriyel invertörler, güç kaynakları, elektrik araç şarj sistemleri ve anahtarlı güç cihazlarında kullanılır. SiC teknolojisinin sunduğu düşük On-resistance (52mOhm @ 20A, 18V) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile enerji verimliliğini artırır. Maksimum 175°C junction sıcaklığında 262W güç dağıtabilir. 52mOhm On-resistance değeri ile ısı kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1337 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok