Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3030KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3030KLHRC11
SCT3030KLHRC11 Hakkında
SCT3030KLHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir SiCFET (Silicon Carbide FET) N-channel MOSFET transistördür. 1200V Drain-Source gerilim kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 72A sürekli drenaj akımı ve 39mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme, motor kontrol ve enerji dağıtım sistemlerinde yer alır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 175°C çalışma sıcaklığında 339W güç dağıtımına dayanıklıdır. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek frekans uygulamalarına uygunluk sağlar. Elektrik araçları, endüstriyel invertörler ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2222 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 339W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok