Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3030AW7TL
SICFET N-CH 650V 70A TO263-7
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3030AW7TL
SCT3030AW7TL Hakkında
SCT3030AW7TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 70A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 39mΩ on-state direnci ve 267W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile verimli enerji yönetimi sağlar. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasite değerleri (Ciss: 1526pF) ve hızlı anahtarlama özelliği sunur. Güç çevirici devreleri, motor kontrol sistemleri, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -4V ile +22V Vgs işletme aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1526 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 267W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok