Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3030ARC14
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3030ARC
SCT3030ARC14 Hakkında
SCT3030ARC14, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 650V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide FET) transistördür. 70A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-4L paketinde sunulan transistör, 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. 175°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklı olan bu FET, 262W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, UPS sistemleri, solar inverterler ve elektrik motor sürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1526 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 262W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok