Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3030ALGC
SCT3030ALGC11 Hakkında
SCT3030ALGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 650V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektrik dönüşüm sistemlerinde yer alır. 39mOhm maksimum drain-source direnci, 262W maksimum güç dissipasyonu ve 175°C çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sağlar. SiCFET teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1526 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 27A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 13.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok