Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3022KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3022KLHRC11
SCT3022KLHRC11 Hakkında
SCT3022KLHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide) teknolojili N-Channel MOSFET'tir. 1200V dren-kaynak gerilimi ve 95A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 28.6mΩ düşük on-dirençi (RDS(on)) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 427W maksimum güç yayılımı ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü ve kaynak uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2879 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok