Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3022KLGC11
SCT3022KLGC11 Hakkında
SCT3022KLGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir SiCFET (Silicon Carbide) tabanlı N-Channel MOSFET'tir. 1200V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 95A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri, endüstriyel inverterler, solar enerji sistemleri ve elektrikli araç şarj uygulamalarında yer almaktadır. TO-247-3 paketinde montajlı bu transistör, 28.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. 175°C çalışma sıcaklığına dayanıklı tasarımı, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. 178nC gate charge ve 2879pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde verimliliği artırır ve ısıl yönetim gereksinimlerini azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2879 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok