Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3022ALHRC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3022ALHRC11
SCT3022ALHRC11 Hakkında
SCT3022ALHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 93A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 28.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 175°C maksimum işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Endüstriyel güç dönüştürme, solar inverter, EV şarj sistemleri ve benzer yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2208 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 339W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok