Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT3017ALHRC11
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT3017ALHRC11
SCT3017ALHRC11 Hakkında
SCT3017ALHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 118A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 22.1mΩ maximum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge 172nC ve input kapasitans 2884pF olup, ±22V/-4V gate voltaj aralığında çalışır. 175°C maksimum junction sıcaklığında 427W güç dağıtabilmesi nedeniyle endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücülerde tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde geleneksel Si-MOSFET'lere kıyasla daha düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2884 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 427W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.1mOhm @ 47A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 23.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok