Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 Hakkında
SCT2H12NZGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-Channel MOSFET'tir. 1700V yüksek voltaj kapasitesi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-3PFM paketinde sunulan bu transistör, 18V gate sürücü voltajında 1.5Ω düşük on-direnç (RDS(on)) karakteristiğine sahiptir. 35W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. SiCFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kayıplar ve yüksek verimlilik sağlar. Enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-3PFM |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok