Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2H12NYTB
SCT2H12NYTB Hakkında
SCT2H12NYTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1700V dayanımlı N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) güç transistörüdür. TO-268-3 paketinde sunulan bu komponent, 4A sürekli dren akımı ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Endüstriyel konvertörler, inverterler, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji sistemlerinde tercih edilen bir çözümdür. Düşük kapı yükü (14 nC) ve hızlı anahtarlama özelliği sayesinde enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok