Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-268-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2750N
SCT2750NYTB Hakkında
SCT2750NYTB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET'tir. 1700V drain-source gerilimi ve 5.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 975mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-268-3 (D³Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 57W güç dağıtabilir. SiC teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama, daha düşük kayıplar ve daha iyi termal performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 975mOhm @ 1.7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok