Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2450KEHRC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2450KEHRC11
SCT2450KEHRC11 Hakkında
SCT2450KEHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/10A N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 585mΩ (@ 3A, 18V) on-state direnci ve 27nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 175°C çalışma sıcaklığında 85W güç dağıtabilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve yüksek verimlilik sunan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, güneş enerjisi invertörleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve UPS gibi uygulamalarda tercih edilir. ±22V/-6V Vgs aralığında çalışır ve 4V @ 900µA gate eşik voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 3A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok