Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2450K
SCT2450KEC Hakkında
SCT2450KEC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim aralığında 10A sürekli akım kapasitesi sunar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapasitif yükleme (463 pF @ 800V) ve minimal gate charge (27 nC) ile karakterize edilir. 585mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile tasarlanmıştır. 175°C junction sıcaklığına dayanabilen bu transistör, güç elektrokoniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, inverterler ve yüksek voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. SiCFET teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ortamlarında ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 463 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 3A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok