Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2280KEHRC11
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2280KE
SCT2280KEHRC11 Hakkında
SCT2280KEHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 14A sürekli drenaj akımına sahip Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paket içinde sunulan bu transistör, yüksek sıcaklık ortamlarında 175°C'ye kadar çalışabilir. 364mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 36nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Enerji çevirici uygulamaları, solar inverterleri, elektrikli araç şarj sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. THD (Trench Harvested Device) teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 108W'a kadar güç taşıyabilir ve sistem verimliliğini artırmada tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 667 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 108W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364mOhm @ 4A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok