Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2280KEGC11
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2280KE
SCT2280KEGC11 Hakkında
SCT2280KEGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 14A sürekli dren akımı ve 364mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 36nC gate charge ve 667pF input capacitance özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 175°C işletme sıcaklığı ve 108W güç dağıtım kapasitesi ile enerji dönüşüm sistemleri, AC/DC konvertörler, inverterler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB üzerinde kalıcı bağlantı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 667 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 108W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364mOhm @ 4A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok