Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2280KEC
SICFET N-CH 1200V 14A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2280K
SCT2280KEC Hakkında
SCT2280KEC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) N-channel transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 14A sürekli drain akımı ve düşük 364mΩ (@ 4A, 18V) RDS(on) değeri ile açıklanmaktadır. 108W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde güç uygulamalarında tercih edilir. 36nC gate charge ve 667pF input capacitance (@ 800V) özellikleri hızlı anahtarlama ve verimli sürücü tasarımı sağlar. Yüksek sıcaklık ortamlarında 175°C junction sıcaklığına kadar çalışabilmektedir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve renewable energy uygulamalarında kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 667 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 108W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 364mOhm @ 4A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok