Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2160KEHRC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2160KEHRC11
SCT2160KEHRC11 Hakkında
SCT2160KEHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) FET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı özelliğiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 208mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 175°C çalışma sıcaklığına kadar güvenilir operasyon yapabilir ve 165W maksimum güç dissipasyonu yönetebilir. İnverterler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslu anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge karakteristiği (62nC) hızlı anahtarlama performansını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok