Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2160KEGC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2160
SCT2160KEGC11 Hakkında
SCT2160KEGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 22A rated drain akımına sahip Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde N-Channel MOSFET'tir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 208mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 62nC gate charge karakteristiği ile yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 175°C çalışma sıcaklığında 165W güç dağıtabilen bu FET, güç kaynakları, traction inverter'ları, OBC (On-Board Charger) ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde düşük anahtarlama kayıpları ve yüksek sıcaklık toleransı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok