Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2160KEC
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2160KEC
SCT2160KEC Hakkında
SCT2160KEC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 22A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 165W maksimum güç dağıtımı yapabilir. 208mOhm RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. 62nC gate charge ve 1200pF input kapasitesi özellikleriyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel güç elektronikleri, switching power supplies, motor kontrol devrelerinde ve renewable energy sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Operating temperature aralığı 175°C'ye kadar çıkar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 7A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok