Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2120AFC
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2120AFC
SCT2120AFC Hakkında
SCT2120AFC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drenaj akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 156mΩ maksimum on-state direnci ile verimli iletim sağlar. 165W maksimum güç tüketimi kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (61nC) hızlı anahtarlama özellikleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok