Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT20N120H
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT20N120H
SCT20N120H Hakkında
SCT20N120H, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 290mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 200°C arasında çalışabilir ve 175W güç yayınımı yapabilir. TO-263-3 (H2PAK-2) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, inverterler, anahtarlama kaynakları ve yüksek sıcaklık ortamlarında kullanılan endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde daha yüksek anahtarlama hızları ve daha iyi termal performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok