Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT20N120
SCT20N120 Hakkında
SCT20N120, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 290mOhm maksimum gate-drain on-state direnci ve 45nC gate yükü özellikleri ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. TO-247-3 kılıfında gelen komponen, -55°C ile +200°C arasında güvenli çalışır. Endüstriyel konvertörler, elektrik araçları, güneş enerjisi inverterler ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok