Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2080KEHRC11
SCT2080KEHRC11 Hakkında
SCT2080KEHRC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. 1200V drain-source voltaj dayanımı ve 40A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, inverter, UPS, güç kaynakları, motorlar sürücüleri ve yenilenebilir enerji sistemleri gibi endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir. 117mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir ve 175°C çalışma sıcaklığında yüksek güvenilirlik sağlar. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri ile sistem verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok