Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2080KEGC11
DIODE N-CH 1200V 40A TO-247AC
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2080KEGC11
SCT2080KEGC11 Hakkında
SCT2080KEGC11, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 117mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 262W güç harcaması yapabilir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve yüksek verimlilik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok