Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT2080KEC
SCT2080KEC Hakkında
SCT2080KEC, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltaj SiCFET (Silicon Carbide FET) N-channel transistörüdür. 1200V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 40A sürekli dren akımı sağlamaktadır. TO-247-3 paket tipinde monte edilir ve güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 117mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 262W güç yayılma kapasitesi ile anahtarlama ve güç dönüştürme devreleri, invertörler, welding sistemleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C'dir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 262W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 10A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4.4mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok