Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCT10N120H
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCT10N120H
SCT10N120H Hakkında
SCT10N120H, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 690mΩ (20V, 6A'da) on-state direnci ve 22nC gate charge ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. H2PAK-2 (TO-263-3) surface mount paketi ile endüstriyel ürünlere entegre edilir. -55°C ile +200°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 20V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok